WEKO3
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2インチSiC基板の紫外光支援研磨に関する研究
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http://hdl.handle.net/2298/318817329878b-e5b6-42d9-b2ef-e11c4049c8e9
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
09142703v57n8_524-529.pdf (1.5 MB)
|
|
Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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公開日 | 2015-02-20 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 2インチSiC基板の紫外光支援研磨に関する研究 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題 | SiC, ultraprecision machining, ultraviolet-ray irradiation, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | journal article | |||||
著者 |
坂本, 武司
× 坂本, 武司× 久保田, 章亀× 峠, 睦 |
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別言語の著者 |
Sakamoto, Takeshi
× Sakamoto, Takeshi× Kubota, Akihisa× 峠, 睦 |
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内容記述 | ||||||
内容記述 | シリコンカーバイド(SiC)基板は,その優れた特性から次世代パワーデバイス半導体への応用が期待されている.しかし,SiCは,ダイヤモンド,cBNに次ぐ硬度を有し,熱的,化学的に安定であるため,加工がきわめて困難な材料である.筆者らは,単結晶SiC基板や単結晶ダイヤモンド基板などの高硬度材料に対する鏡面加工技術として,紫外光照射を援用した超精密研磨技術を開発した.本報では,2インチサイズのSiC基板に対してAs-slice面に前加工を施し,その後紫外光支援研磨により最終仕上げを行う一連のプロセスを報告する.2段階のダイヤモンドラッピングによる前加工を行い,As-slice面から1hr以内で1μm程度の平坦性と,Ra:0.5nmの平滑性を持つ面に仕上げた.次に,紫外光支援研磨により,基板全体をRa:0.19nm~0.28nm,Rz:2.12nm~3.00nmのサブナノメートルオーダの超平滑な面に,削除率256nm/hrで仕上げることができた. | |||||
書誌情報 |
砥粒加工学会誌 巻 57, 号 8, p. 524-529, 発行年 2013-09-01 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子 | 09142703 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子 | AN10192823 | |||||
DOI | ||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
関連識別子 | 10.11420/jsat.57.524 | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述 | application/pdf | |||||
形態 | ||||||
1471056 bytes | ||||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
日本十進分類法 | ||||||
主題 | 566.7 | |||||
その他の言語のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Ultraviolet-assisted polishing of 2 inch SiC substrate | |||||
タイトル(ヨミ) | ||||||
その他のタイトル | 2 インチ SiC キバン ノ シガイコウ シエン ケンマ ニ カンスル ケンキュウ | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 砥粒加工学会 | |||||
資源タイプ | ||||||
内容記述 | 論文(Article) | |||||
資源タイプ・ローカル | ||||||
雑誌掲載論文 | ||||||
資源タイプ・NII | ||||||
Journal Article | ||||||
資源タイプ・DCMI | ||||||
text | ||||||
資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
01 | ||||||
URL | ||||||
内容記述 | https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsat/57/8/57_524/_article/-char/ja/ |