@techreport{oai:kumadai.repo.nii.ac.jp:00017472,
 author = {Kuroda, Noritaka and 黒田, 規敬},
 month = {May},
 note = {application/pdf, 研究報告書, 発光ダイオードのためのワイドギャップ半導体堆積薄膜の結晶品位の評価に赤外スペクトロスコピーを応用する研究を行った。GaN/sapphireおよびZnO/sapphire(silica)についての実験により、斜入射へテロ残留線反射と減衰全反射の方法が結晶格子のひずみの厚さ方向の傾斜などについての非破壊検査法として有効であることが確認できた。},
 title = {ヘテロ残留線反射と全反射減衰による、ワイドギャップ半導体堆積薄膜の結晶品位評価},
 year = {2007}
}