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アイテム
Gravity-induced diffusion of atoms in some semiconductor materials
http://hdl.handle.net/2298/17211
http://hdl.handle.net/2298/172116b2fb19f-44a1-45e7-a202-6273670aaf47
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2010-12-13 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Gravity-induced diffusion of atoms in some semiconductor materials | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
キーワード | ||||||
主題 | Gravity-induced diffusion, semiconductor materials, sedimentation of atoms, new high-temperature ultracentifuge, sedimentation of isotope atoms | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | thesis | |||||
著者 |
井口, 裕介
× 井口, 裕介 |
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別言語の著者 |
Iguchi, Yusuke
× Iguchi, Yusuke |
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内容記述 | ||||||
内容記述 | In this study, we researched about the application for condensation of isotope, impurity control, crystalline control and interface control under a strong gravitational field using the ultracentrifuge of Kumamoto University and JAEA. At first, new ultracentrifuge is explained. After then new experimental results and mechanism will be discuss. There is already known that graded composition structure was achieved by under a strong gravitational field due to the sedimentation of atoms in solid, but all of mechanism is unclear. In this report, these problems be discussed and considered with hypothesis and settlement. | |||||
書誌情報 | 発行年 2010-03-25 | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述 | application/pdf | |||||
形態 | ||||||
6704276 bytes | ||||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
日本十進分類法 | ||||||
主題 | 377.5 | |||||
その他の言語のタイトル | ||||||
その他のタイトル | 半導体物質における原子の重力誘起拡散の基礎的研究 | |||||
タイトル(ヨミ) | ||||||
その他のタイトル | ハンドウタイ ブッシツ ニ オケル ゲンシ ノ ジュウリョク ユウキ カクサン ノ キソ テキ ケンキュウ | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 熊本大学 | |||||
資源タイプ | ||||||
内容記述 | 学位論文(Thesis) | |||||
資源タイプ・ローカル | ||||||
博士論文 | ||||||
資源タイプ・NII | ||||||
Thesis or Dissertation | ||||||
資源タイプ・DCMI | ||||||
text | ||||||
資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
03 | ||||||
コメント | ||||||
熊本大学大学院自然科学研究科 複合新領域科学専攻 | ||||||
学位番号 | ||||||
甲博工第444号 |