@techreport{oai:kumadai.repo.nii.ac.jp:00024389,
 author = {Aniya, Masaru and 安仁屋, 勝},
 month = {May},
 note = {application/pdf, 研究報告書, イオン導電性ガラスで見られる交流イオン伝導度の振動数に対するベキ依存性は、ガラスが有する中距離構造と密接に関係していることを見出した。この結果は、多くの系で普遍的に見られるベキ指数には中距離でのポテンシャル壁のパターンの情報が含まれるという新しい解釈を与える。カルコゲナイド・アモルファス半導体で観測される光ドープ現象をフラジリティーの観点から考察し、Agのドープ量はGe-Sのフラジリティーが最小値をとる組成で最大となることを見出した。超イオン導電ガラスの非線形光学定数は他のガラス系
のものと比べ異常に大きな値を示すことを見出した。その理由を結合論の観点から考察し、Agのd-電子が果たしている役割を明らかにすると共に、以前から主張している結合揺らぎに基づくイオン伝導機構は、光誘起現象においても本質的な役割を果たすことを明らかにした。, It is discovered that the power law dependence of the ac ionic conductivity observed in ion conducting glasses is related with the medium range structure
of the glasses. The result indicates that the universality of the power law exponent
observed in many materials contains information of the pattern of the potential profile at intermediate length scales. By analyzing the photodoping phenomena observed in amorphous chalcogenides from the point of view of fragility, it was discovered that the
amount of Ag doped is maxima at the composition where the fragility of Ge-S is minimum. It is discovered that the nonlinear optical constant of ionic conducting glasses is very large compared with other glasses. The origin of such a behavior has been studied from a chemical bond point of view. The study has revealed the importance of the Ag d-electrons, and that the mechanism of ion transport based on bond fluctuation processes plays also a fundamental role in the photoinduced phenomena.},
 title = {イオン導電性カルコゲナイドガラスにおけるフォトイオニクス現象の微視的機構の解明},
 year = {2010}
}