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  1. 工学
  2. 報告会(工学系)
  3. 技術部 技術報告会

Silicon-On-Insulator(SOI)半導体プロセスによる耐放射線検出器読み出し用ASICの開発

http://hdl.handle.net/2298/23471
http://hdl.handle.net/2298/23471
f3e15630-2fbe-4fbe-87d4-d82ba2916ca7
名前 / ファイル ライセンス アクション
03B-VII-3.pdf 03B-VII-3.pdf (2.2 MB)
Item type 会議発表用資料 / Presentation(1)
公開日 2012-02-06
タイトル
タイトル Silicon-On-Insulator(SOI)半導体プロセスによる耐放射線検出器読み出し用ASICの開発
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ conference object
著者 藤田, 陽一

× 藤田, 陽一

WEKO 116853

藤田, 陽一

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内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 平成22年度熊本大学総合技術研究会,回路・計測・制御技術分野(口頭発表)セッションVII(J会場)
書誌情報 発行日 2011-03-18
フォーマット
内容記述 application/pdf
形態
2165008 bytes
著者版フラグ
出版タイプ AM
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 539.62
タイトル(ヨミ)
その他のタイトル Silicon-On-Insulator SOI ハンドウタイ プロセス ニ ヨル タイホウシャセン ケンシュツキ ヨミダシ ヨウ ASIC ノ カイハツ
出版者
出版者 熊本大学工学部技術部
資源タイプ
内容記述 発表資料
資源タイプ・ローカル
発表資料
資源タイプ・NII
Presentation
資源タイプ・DCMI
text
資源タイプ・ローカル表示コード
05
URI
http://hdl.handle.net/2298/23471
URL
内容記述タイプ Other
内容記述 http://www.tech.eng.kumamoto-u.ac.jp/kumamoto2011/
コメント
所属:高エネルギー加速器研究機構(KEK) 素粒子原子核研究所 エレクトロニクスシステム
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Ver.1 2023-06-19 18:03:47.902206
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