WEKO3
アイテム / GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique / Low_2021_Appl
Low_2021_Appl
ファイル | ライセンス |
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Low_2021_Appl._Phys._Express_14_031004.pdf (1.2 MB) sha256 d2c53db14a76f47062fb699fe4020c06d96018b5142278fcd8f38022ec1c7357 |
Creative Commons Attribution 4.0 International (CC BY 4.0) |
公開日 | 2021-10-06 | |||||
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ファイル名 | Low_2021_Appl._Phys._Express_14_031004.pdf | |||||
本文URL | https://kumadai.repo.nii.ac.jp/record/32442/files/Low_2021_Appl._Phys._Express_14_031004.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 1.2 MB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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