WEKO3
アイテム
ヘテロ残留線反射と全反射減衰による、ワイドギャップ半導体堆積薄膜の結晶品位評価
http://hdl.handle.net/2298/3441
http://hdl.handle.net/2298/34414a2c256b-e384-4170-80de-e0b21c419afc
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KaC17560024-001.pdf (1.7 MB)
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| Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2007-07-20 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ヘテロ残留線反射と全反射減衰による、ワイドギャップ半導体堆積薄膜の結晶品位評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | GaN, ZnO, LED, 薄膜結晶, 赤外スペクトロスコピー, 品位評価 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | research report | |||||
| 著者 |
黒田, 規敬
× 黒田, 規敬 |
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| 別言語の著者 |
Kuroda, Noritaka
× Kuroda, Noritaka |
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| 内容記述 | ||||||
| 内容記述 | 発光ダイオードのためのワイドギャップ半導体堆積薄膜の結晶品位の評価に赤外スペクトロスコピーを応用する研究を行った。GaN/sapphireおよびZnO/sapphire(silica)についての実験により、斜入射へテロ残留線反射と減衰全反射の方法が結晶格子のひずみの厚さ方向の傾斜などについての非破壊検査法として有効であることが確認できた。 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2007-05 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 形態 | ||||||
| 1722334 bytes | ||||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 549.8 | |||||
| タイトル（ヨミ） | ||||||
| その他のタイトル | ヘテロ ザンリュウセン ハンシャ ト ゼンハンシャ ゲンスイ ニ ヨル ワイドギャップ ハンドウタイ タイセキ ハクマク ノ ケッショウ ヒンイ ヒョウカ | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 熊本大学 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 研究報告書 | |||||
| 資源タイプ・ローカル | ||||||
| 研究報告書 | ||||||
| 資源タイプ・NII | ||||||
| Research Paper | ||||||
| 資源タイプ・DCMI | ||||||
| text | ||||||
| 資源タイプ・ローカル表示コード | ||||||
| 06 | ||||||
| コメント | ||||||
| 平成17～18年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書 課題番号:17560024 | ||||||
