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  1. 工学
  2. 発表論文(工学系)

2インチSiC基板の紫外光支援研磨に関する研究

http://hdl.handle.net/2298/31881
http://hdl.handle.net/2298/31881
7329878b-e5b6-42d9-b2ef-e11c4049c8e9
名前 / ファイル ライセンス アクション
09142703v57n8_524-529.pdf 09142703v57n8_524-529.pdf (1.5 MB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2015-02-20
タイトル
タイトル 2インチSiC基板の紫外光支援研磨に関する研究
言語
言語 jpn
キーワード
主題 SiC, ultraprecision machining, ultraviolet-ray irradiation, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)
資源タイプ
資源タイプ journal article
著者 坂本, 武司

× 坂本, 武司

WEKO 132131

坂本, 武司

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久保田, 章亀

× 久保田, 章亀

WEKO 132132

久保田, 章亀

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峠, 睦

× 峠, 睦

WEKO 132133

峠, 睦

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別言語の著者 Sakamoto, Takeshi

× Sakamoto, Takeshi

WEKO 132137

Sakamoto, Takeshi

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Kubota, Akihisa

× Kubota, Akihisa

WEKO 132138

Kubota, Akihisa

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峠, 睦

× 峠, 睦

WEKO 147077

ja 峠, 睦
ISNI

ja-Kana トウゲ, ムツミ

en Touge, Mutsumi

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内容記述
内容記述 シリコンカーバイド(SiC)基板は,その優れた特性から次世代パワーデバイス半導体への応用が期待されている.しかし,SiCは,ダイヤモンド,cBNに次ぐ硬度を有し,熱的,化学的に安定であるため,加工がきわめて困難な材料である.筆者らは,単結晶SiC基板や単結晶ダイヤモンド基板などの高硬度材料に対する鏡面加工技術として,紫外光照射を援用した超精密研磨技術を開発した.本報では,2インチサイズのSiC基板に対してAs-slice面に前加工を施し,その後紫外光支援研磨により最終仕上げを行う一連のプロセスを報告する.2段階のダイヤモンドラッピングによる前加工を行い,As-slice面から1hr以内で1μm程度の平坦性と,Ra:0.5nmの平滑性を持つ面に仕上げた.次に,紫外光支援研磨により,基板全体をRa:0.19nm~0.28nm,Rz:2.12nm~3.00nmのサブナノメートルオーダの超平滑な面に,削除率256nm/hrで仕上げることができた.
書誌情報 砥粒加工学会誌

巻 57, 号 8, p. 524-529, 発行年 2013-09-01
ISSN
収録物識別子 09142703
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN10192823
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
関連識別子 10.11420/jsat.57.524
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
形態
1471056 bytes
著者版フラグ
出版タイプ VoR
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 566.7
その他の言語のタイトル
その他のタイトル Ultraviolet-assisted polishing of 2 inch SiC substrate
タイトル(ヨミ)
その他のタイトル 2 インチ SiC キバン ノ シガイコウ シエン ケンマ ニ カンスル ケンキュウ
出版者
出版者 砥粒加工学会
資源タイプ
内容記述タイプ Other
内容記述 論文(Article)
資源タイプ・ローカル
雑誌掲載論文
資源タイプ・NII
Journal Article
資源タイプ・DCMI
text
資源タイプ・ローカル表示コード
01
URL
内容記述タイプ Other
内容記述 https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsat/57/8/57_524/_article/-char/ja/
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Ver.1 2023-06-19 17:32:10.200937
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